- 封装:32-QFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01

产品简介:DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLP
- 封装:32-QFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
NIS6111QPT1G 供应商
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-
ONSemiconductor
-
32-PLLP(9x9)
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NIS6111QPT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - O 圈控制器
- 系列:BERS™
- 应用:回扫,正向转换器
- FET 型:N 沟道
- 输出数:1
- 内部开关:是
- 延迟时间 - 开启:45ns
- 延迟时间 - 关闭:35ns
- 电源电压:4.8 V ~ 5.2 V
- 电流 - 电源:1.3mA
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:32-QFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:32-PLLP(9x9)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:NIS6111QPT1GOS
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