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  • 封装:32-QFN 裸露焊盘
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)

更新日期:2024-04-01

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产品简介:DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLP

  • 封装:32-QFN 裸露焊盘
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)

NIS6111QPT1G 供应商

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NIS6111QPT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装:3,000
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - O 圈控制器
  • 系列:BERS™
  • 应用:回扫,正向转换器
  • FET 型:N 沟道
  • 输出数:1
  • 内部开关:
  • 延迟时间 - 开启:45ns
  • 延迟时间 - 关闭:35ns
  • 电源电压:4.8 V ~ 5.2 V
  • 电流 - 电源:1.3mA
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:32-QFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:32-PLLP(9x9)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NIS6111QPT1GOS

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9