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NGTD15R65F2WP
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
NGTD15R65F2WP
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 650V DIE
NGTD15R65F2WP 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
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ORSEMI/安森美
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22+ -
668131
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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模具
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NGTD15R65F2WP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：190 : ￥14.19268散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：-
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.9 V @ 25 A
- 速度：-
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1 μA @ 650 V
- 不同?Vr、F 时电容：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具
- 工作温度 - 结：175°C（最大）