您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

暂无图片

NESG2101M16

CEL 晶体管射频

产品简介:射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2101M16-A

NESG2101M16 中文资料属性参数

  • 制造商:CEL
  • 功率耗散:130 mW
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:M16
  • 工厂包装数量:50

NESG2101M16 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NESG2101M16

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

2 Pages页,84K 查看
NESG2101M16-T3

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

2 Pages页,84K 查看

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9