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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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NE85639R

晶体管射频

产品简介:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

NE85639R 供应商

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NE85639R 中文资料属性参数

  • 制造商:NEC
  • 配置:Single
  • 晶体管极性:NPN
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
  • 集电极连续电流:0.1 A
  • 功率耗散:0.2 W
  • 封装 / 箱体:SOT-143R
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:50
  • 直流电流增益 hFE 最大值:300
  • 安装风格:SMD/SMT

NE85639R 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NE85639R

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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