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更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE850R599A 中文资料属性参数
- 制造商：CEL
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：MESFET
- 频率：7.2 GHz
- 增益：9.5 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：150 mS
- 漏源电压 VDS：15 V
- 闸/源击穿电压：- 12 V
- 漏极连续电流：430 mA
- 最大工作温度：+ 130 C
- 功率耗散：3 W
- 安装风格：Screw
- 封装 / 箱体：Outline99
- P1dB：26.5 dBm
- 封装：Bulk
NE850R599A 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE850R599A
|
C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
2 Pages页,20K | 查看 |
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