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NE8500295-6
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE8500295-6
晶体管射频产品简介：射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
NE8500295-6 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：MESFET
- 频率：5.5 GHz to 6.5 GHz
- 增益：9.5 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：600 mS
- 漏源电压 VDS：15 V
- 闸/源击穿电压：- 12 V
- 漏极连续电流：1.9 A
- 最大工作温度：+ 175 C
- 功率耗散：13 W
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：CHIP
- P1dB：33.8 dBm
- 封装：Bulk
NE8500295-6 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE8500295-6
|
2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
8 Pages页,49K | 查看 |
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