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更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE722S01 中文资料属性参数
- 制造商：CEL
- 技术类型：MESFET
- 频率：4 GHz
- 增益：12 dB
- 噪声系数：0.9 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：45 mS
- 漏源电压 VDS：5 V
- 闸/源击穿电压：- 5 V
- 漏极连续电流：120 mA
- 最大工作温度：+ 125 C
- 功率耗散：250 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SO-1
- P1dB：15 dBm
NE722S01 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE722S01
|
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
6 Pages页,129K | 查看 |
|
NE722S01-T1
|
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
6 Pages页,129K | 查看 |
|
NE722S01-T1B1
|
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
6 Pages页,135K | 查看 |
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