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NE678M04
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE678M04
晶体管射频产品简介：射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
NE678M04 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
CEL
-
SOT-343F
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
RENESAS/瑞萨
-
SOT343
2024 -
89832
-
上海市
-
-
-
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
NE678M04 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 配置：Single
- 晶体管极性：NPN
- 发射极 - 基极电压 VEBO：2 V
- 集电极连续电流：0.1 A
- 功率耗散：205 mW
- 封装 / 箱体：SOT-343
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：75
- 直流电流增益 hFE 最大值：150
- 安装风格：SMD/SMT
NE678M04 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE678M04
|
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
7 Pages页,63K | 查看 |
|
NE678M04-EV09
|
RF Transistor Evaluation Boards For NE678M04-A at 900 MHz |
8页,170K | 查看 |
|
NE678M04-T2
|
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
7 Pages页,63K | 查看 |
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