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NE662M16
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE662M16
晶体管射频产品简介：射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
NE662M16 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 配置：Single
- 晶体管极性：NPN
- 发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V
- 集电极连续电流：0.035 A
- 功率耗散：115 mW
- 封装 / 箱体：M16
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：50
- 直流电流增益 hFE 最大值：100
- 安装风格：SMD/SMT
NE662M16 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE662M16
|
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
9 Pages页,64K | 查看 |
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NE662M16-T3
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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