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更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE651R479A-EVPW26 中文资料属性参数
- 制造商：CEL
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：HEMT
- 频率：1.9 GHz
- 增益：12 dB
- 漏源电压 VDS：8 V
- 闸/源击穿电压：- 4 V
- 漏极连续电流：1 A
- 最大工作温度：+ 125 C
- 功率耗散：2.5 W
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：79A
- P1dB：27 dBm
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