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NE650103M
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE650103M
晶体管射频产品简介：射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
NE650103M 供应商
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NEC
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SOP-8
23+ -
15000
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上海市
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中国区代理原装现货热卖特价
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NEC
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SOP-8
新批号 -
7899
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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CEL
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3M
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NE650103M 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 技术类型：MESFET
- 频率：2.3 GHz
- 增益：11 dB
- 漏源电压 VDS：15 V
- 闸/源击穿电压：- 18 V
- 漏极连续电流：7 A
- 最大工作温度：+ 175 C
- 功率耗散：33 W
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：3M
- P1dB：40 dBm
- 工厂包装数量：10
NE650103M
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