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NE6500379A-EVPW26

CEL 晶体管射频

更新日期:2024-04-01 00:04:00

NE6500379A-EVPW26

CEL 晶体管射频

产品简介:射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G

NE6500379A-EVPW26 中文资料属性参数

  • 制造商:CEL
  • 技术类型:MESFET
  • 频率:1.9 GHz
  • 增益:10 dB
  • 漏源电压 VDS:15 V
  • 闸/源击穿电压:- 7 V
  • 漏极连续电流:4.5 A
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 功率耗散:21 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:79A
  • P1dB:35 dBm
  • 工厂包装数量:5

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