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更新日期:2024-04-01 00:04:00

NE450184C-T1-A

CEL 晶体管射频

产品简介:射频GaAs晶体管 Ult LW Noise HJ FET 1.0dB NF

NE450184C-T1-A 中文资料属性参数

  • 制造商:CEL
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:24 GHz
  • 增益:10 dB
  • 噪声系数:1 dB
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):40 mS
  • 漏源电压 VDS:4 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:80 mA
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 功率耗散:165 mW
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:S0-1
  • 封装:Tape

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