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NE4210S01-A
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE4210S01-A
晶体管射频产品简介：射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
NE4210S01-A 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：HEMT
- 频率：12 GHz
- 增益：13 dB
- 噪声系数：0.5 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 mS
- 漏源电压 VDS：4 V
- 闸/源击穿电压：- 3 V
- 漏极连续电流：70 mA
- 最大工作温度：+ 125 C
- 功率耗散：165 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：S0-1
- 封装：Reel
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