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更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE3508M04-EVNF23 中文资料属性参数
- 制造商：CEL
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：HEMT
- 频率：2 GHz
- 增益：14 dB
- 噪声系数：0.45 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：100 mS
- 漏源电压 VDS：4 V
- 闸/源击穿电压：- 3 V
- 漏极连续电流：120 mA
- 最大工作温度：+ 150 C
- 功率耗散：175 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：FTSMM-4 (M04)
- P1dB：18 dBm
- 封装：Box
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