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更新日期：2024-04-01 00:04:00
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NE350184C-T1 中文资料属性参数
- 制造商：CEL
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：HEMT
- 频率：20 GHz
- 增益：13.5 dB
- 噪声系数：0.7 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 mS
- 漏源电压 VDS：4 V
- 闸/源击穿电压：- 3 V
- 漏极连续电流：70 mA
- 最大工作温度：+ 150 C
- 功率耗散：165 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：Micro-X Ceramic (84 C)
- 封装：Reel
- 工厂包装数量：5000
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