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NE32584C-S
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE32584C-S
晶体管射频产品简介：射频GaAs晶体管 84C LO NO HJ FET
NE32584C-S 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：pHEMT
- 频率：12 GHz
- 增益：12.5 dB
- 噪声系数：0.45 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：60 mS
- 漏源电压 VDS：4 V
- 闸/源击穿电压：- 3 V
- 漏极连续电流：90 mA
- 最大工作温度：+ 150 C
- 功率耗散：165 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：Micro-X Ceramic (84 C)
- 封装：Tube
- 工厂包装数量：1000
NE32584C-S 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE32584C-SL
|
C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
12 Pages页,74K | 查看 |
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