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NE25118-T1-U73
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE25118-T1-U73
晶体管射频产品简介：射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
NE25118-T1-U73 中文资料属性参数
- 制造商：NEC
- 产品种类：射频GaAs晶体管
- 技术类型：MESFET
- 频率：0.9 GHz
- 增益：20 dB
- 噪声系数：1.1 dB
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 mS
- 漏源电压 VDS：13 V
- 闸/源击穿电压：- 4.5 V
- 漏极连续电流：20 mA
- 最大工作温度：+ 125 C
- 功率耗散：120 mW
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-343
- 封装：Reel
- 工厂包装数量：3000
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