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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
NDT456P_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：- 30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：+/- 7.5 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.026 Ohms
- 配置：Single Dual Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-223
- 封装：Reel
- 下降时间：70 ns
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：3 W
- 上升时间：65 ns
- 典型关闭延迟时间：70 ns
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