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MPSH10PSTZ
Transistors Bipolar (BJT)更新日期：2024-04-01 00:04:00
MPSH10PSTZ
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) -
MPSH10PSTZ 中文资料属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
- 最大直流电集电极电流：0.025 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：650 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 封装：Box
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：500 mW
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