搜索
发布采购
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 长体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS PNP GP BIPO 1W 30V TO-92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 长体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
MPS6726 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
onsemi
-
TO-92
21+ -
5026
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
MPS6726 中文资料属性参数
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 1A，1V
- 功率 - 最大：1W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 长体
- 供应商设备封装：TO-92
- 包装：散装
MPS6726 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MPS6726
|
One Watt Amplifier Transistor |
4 Pages页,88K | 查看 |
|
MPS6726
|
One Watt Amplifier Transistor(PNP Silicon) |
4 Pages页,88K | 查看 |
|
MPS6726G
|
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain Max (hfe):60; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C;RoHS Compliant: Yes |
4页,55K | 查看 |