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MPS2907ARLRE

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MPS2907ARLRE

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 600mA 60V PNP

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MPS2907ARLRE 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：75 at 0.1 mA at 10 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：200 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92-3 (TO-226)
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：- 600 mA
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.5 W
  • 工厂包装数量：2000

MPS2907ARLRE 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MPS2907ARLRE

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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