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MMUN2233LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01197-$0.02295

更新日期：2025-02-12 14:02:51

MMUN2233LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01197-$0.02295

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MMUN2233LT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：246mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMUN2233LT1GOSTR

MMUN2233LT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMUN2233LT1G

Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Base Input Resistor, R1:4700ohm; Base-Emitter Resistor, R2:47000ohm; Resistor Ratio, R1/R2:0.1; Package/Case:3-SOT-23; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

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