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MMUN2233LT1

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MMUN2233LT1

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

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MMUN2233LT1 中文资料属性参数

  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：246mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：MMUN2233LT1OSCT

MMUN2233LT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMUN2233LT1

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

 12 Pages页,147K 查看
MMUN2233LT1

Bias Resistor Transistor

 10 Pages页,147K 查看
MMUN2233LT1

Bias Resistor Transistor

 12 Pages页,147K 查看
MMUN2233LT1G

Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Base Input Resistor, R1:4700ohm; Base-Emitter Resistor, R2:47000ohm; Resistor Ratio, R1/R2:0.1; Package/Case:3-SOT-23; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

17页,140K 查看

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