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MMUN2116LT1

ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MMUN2116LT1

ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased)

产品简介：Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT PNP

MMUN2116LT1 供应商

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MMUN2116LT1 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置：Single
  • 晶体管极性：PNP
  • 典型输入电阻器：4.7 KOhms
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 集电极连续电流：0.1 A
  • 峰值直流集电极电流：100 mA
  • 功率耗散：246 mW
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装：Reel
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 工厂包装数量：3000

MMUN2116LT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMUN2116LT1

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

 10 Pages页,146K 查看
MMUN2116LT1

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

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MMUN2116LT1

Bias Resistor Transistors

 7 Pages页,146K 查看
MMUN2116LT1G

Bias Resistor Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Base Input Resistor R1:4.7kohm; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes

13页,153K 查看

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