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MMUN2111LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01197-$0.02295

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MMUN2111LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01197-$0.02295

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MMUN2111LT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：246mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMUN2111LT1GOSMMUN2111LT1GOS-NDMMUN2111LT1GOSTR

MMUN2111LT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMUN2111LT1G

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:3.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:35; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:1; Power Dissipation Pd:246mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:10kohm; Resistance R2:10kohm; SMD Marking:A6A; Termination Type...

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