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MMSTA06-7
晶体管(BJT) - 单路- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
MMSTA06-7
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANSISTOR NPN 80V SC70-3
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
MMSTA06-7 供应商
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上海市
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DIODES
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2021+ -
28000
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苏州
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MMSTA06-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，1V
- 功率 - 最大：200mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMSTA06DITRMMSTA06TRMMSTA06TR-ND
MMSTA06-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMSTA06-7-F
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TRANSISTOR, NPN, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal |
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MMSTA06-7-F
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TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 |
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