- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0351-$0.0621
更新日期:2025-01-08 11:01:05
产品简介:TRANSISTOR HIVOLT PNP AMP SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
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MMBTA92 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 2mA,20mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 30mA,10V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBTA92FSTR
MMBTA92 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE TELEPHONE) |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON |
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Mini size of Discrete semiconductor elements |
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PNP High Voltage Amplifier |
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PNP high-voltage transistor |
8 Pages页,123K | 查看 |
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PNP Silicon High Voltage Transistor |
4 Pages页,123K | 查看 |
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0.4 +0.1 -0.1 2.9 +0.1 -0.1 0.95 +0.1 -0.1 1.9 +0.1 -0.1 2.4 +0.1 -0.1 1.3 +0.1 -0.1 0-0.1 0.38 +0.1 -0.1 0.97 +0.1 -0.1 0.55 0.4 1.Base 2.Emitter 3.collector 12 3 Unit:mm SOT-23 0.1 +0.05 -0.01 Features PNP Silicon MMBTA92 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCEO -300 V Collector-base voltage VCBO -300 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current-continuous IC -500 mA Total device dissipation FR-5 board *1 @TA = 25 PD 225 mW Derate above 25 1.8 mW/ Thermal resistance, junction-to-ambient RèJA 556 /W Total device dissipation alumina substrate *2 @TA = 25 PD 300 mW derate above 25 2.4 mW/ Thermal resistance, junction-to-ambient RèJA 417 /W Junction and storage temperature TJ,Tstg -55to+150 * 1. FR-5 = 1.0 X0.75 X0.062 in. * 2. Alumina = 0.4 X0.3 X0.024 in. 99.5% alumina. SMDType Transistors SMDType Transistors Product specification sales@twtysemi.com 1of 2 http://www.twtysemi.com 4008-318-123 |
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