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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01915-$0.03672
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS DARL PNP 30V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01915-$0.03672
MMBTA63LT1G 供应商
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MMBTA63LT1G
原装现货 -
ON
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SOT23
23+ -
9000
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深圳
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12-12
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原装进口ON专卖店
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onsemi
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SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
21+ -
1889
-
上海市
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-
-
一级代理原装
-
ON
-
-
8 -
480
-
杭州
-
-
-
原装正品现货
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ON/安森美
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SMD
21+ -
27000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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SOT-23-3
22+ -
670731
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上海市
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原装可开发票
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MMBTA63LT1G
-
ON
连可连代销V -
40
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上海市
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-
-
1
-
ON
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
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-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
MMBTA63LT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10000 @ 100mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBTA63LT1GOSTR
MMBTA63LT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBTA63LT1G
|
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):10000 ;RoHS Compliant: Yes |
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