- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.02249-$0.03979
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.02249-$0.03979
MMBTA56 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
MMBTA56
原装现货 -
ST先科
-
SOT-23
23/24+ -
60000
-
深圳
-
12-05
-
原厂代理,原装现货
-
MMBTA56 2GM
原装现货 -
三联盛/
-
SOT-23
22/23+ -
9999999
-
深圳
-
11-12
-
Fairchild
-
SOT-23-3
21+ -
11600
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
国产
-
SOT-23
2024 -
91752
-
上海市
-
-
-
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
-
YANGJIE
-
SOT-23
24+ -
50000
-
上海市
-
-
-
原厂直销全新原装现货 欢迎选购
-
YANGJIE
-
SOT-23
24+ -
50000
-
上海市
-
-
-
原厂直销全新原装现货 欢迎选购
-
DIODES
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
-
DIODES
-
-
21+ -
3000
-
上海市
-
-
-
原装现货,品质为先!请来电垂询!
-
ON/ELNAF
-
SOT-23
1809+ -
3000
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
ON
-
SOT23
23+ -
5800
-
上海市
-
-
-
进口原装现货,杜绝假货。
MMBTA56 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBTA56FSTR
MMBTA56 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MMBTA56 SOT-23
|
General Purpose Amplifier Applications |
1页,786K | 查看 |
MMBTA56-7
|
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
2 Pages页,48K | 查看 |
MMBTA56-HAF
|
Dated: 31/10/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC MMBTA56-HAF PNP General Purpose Transistor for amplifier applications On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. Features ? Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 80 V Collector Emitter Voltage -V CES 80 V Emitter Base Voltage -V EBO 4 V Collector Current -I C 500 mA Power Dissipation P tot 200 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient R θJA 357 O C/W Junction Temperature T j -55 to +150 O C Storage Temperature Range T Stg -55 to +150 O C |
3页,112K | 查看 |
MMBTA56LT1
|
Driver Transistors(PNP Silicon) |
4 Pages页,78K | 查看 |
MMBTA56LT1
|
Driver Transistors(PNP Silicon) |
2 Pages页,78K | 查看 |
MMBTA56LT1G
|
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:50; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:100mA; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:225mW; SMD Marking:2GM; Tape Width:8mm; Termina... |
5页,65K | 查看 |
MMBTA56-TP
|
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 |
4页,252K | 查看 |
MMBTA56WT1
|
Small Signal Driver-PNP |
8页,60K | 查看 |

搜索
发布采购
MMBTA56 SOT-23