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MMBTA42

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.02886-$0.05106

更新日期：2025-01-08 11:01:05

MMBTA42

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

产品简介：TRANSISTOR HI VOLT NPN SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.02886-$0.05106

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MMBTA42 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 30mA，10V
  • 功率 - 最大：240mW
  • 频率 - 转换：50MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBTA42FSTR

MMBTA42 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMBTA42 SOT-23

High breakdown voltage 􀁺 Low collector-emitter saturation voltage 􀁺 Complementary to MMBTA92 (PNP)

 3页,1003K 查看
MMBTA42,215

TRANS NPN 300V 0.1A SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:40; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Current Ic Continuous a Max:20mA; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:40; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar

8页,50K 查看
MMBTA42E

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