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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01915-$0.03672
更新日期：2025-02-12 14:02:51
产品简介：TRANS DRIVER SS NPN 80V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01915-$0.03672
MMBTA06LT1G 供应商
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MMBTA06LT1G
原装现货 -
Onsemi
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SOT-23
2305 -
129918
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北京市
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02-12
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原厂授权渠道，现货
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MMBTA06LT1G
原装现货 -
ON
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SOT-23
2019 -
30
-
深圳
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11-18
-
原装现货
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ON
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NA
2022+ -
2225
-
苏州
-
-
-
原装
-
ON
-
-
23+ -
8000
-
上海市
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-
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原厂原装假一赔十
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ON
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SOT-23
- -
26900
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上海市
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-
经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
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ON
-
SOT-23
11+ -
78000
-
杭州
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原装正品现货
-
ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
-
杭州
-
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只做原装现货，大量现货热卖
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ONS
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原厂封装
21+ -
50000
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上海市
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原装现货，品质为先！请来电垂询！
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ON
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SOT-23
新批号 -
887000
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上海市
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原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
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ON
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SOT23
23+ -
5800
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上海市
-
-
-
进口原装现货，杜绝假货。
MMBTA06LT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，1V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBTA06LT1GOSMMBTA06LT1GOS-NDMMBTA06LT1GOSTR
MMBTA06LT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBTA06LT1G
|
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:100mA; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:225mW; SMD Marking:1GM; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Transistor Ty... |
5页,146K | 查看 |