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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0195-$0.0345
更新日期：2025-03-11 14:03:27
产品简介：TRANS SS NPN 160V HV SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0195-$0.0345
MMBT5551LT1G 供应商
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MMBT5551LT1G
原装现货 -
ON
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SOT23
19+ -
100
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北京市
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03-11
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原装现货北京库存
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MMBT5551LT1G
原装现货 -
Onsemi
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SOT-23
2203 -
97295
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北京市
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02-12
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原厂授权渠道，现货
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MMBT5551LT1G
原装现货 -
ON
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SOT23
20+ -
20264
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深圳
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12-12
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原装进口ON专卖店
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MMBT5551LT1G
原装现货 -
ON
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SOT23
2012 -
208
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深圳
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11-18
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原装现货
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ON
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NA
2022+ -
27000
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苏州
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原装
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onsemi
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SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
21+ -
15000
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上海市
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一级代理原装
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ON/安森美
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SOT-23
24+ -
1000
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深圳
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只做原装，好价支持
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ON/安森美
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SOT-23
2024 -
54280
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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ON
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SMD
21+ -
5000
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上海市
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-
-
原装进口
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ON
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SOT-23
- -
900
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上海市
-
-
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
MMBT5551LT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBT5551LT1GOSMMBT5551LT1GOS-NDMMBT5551LT1GOSTR
MMBT5551LT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT5551LT1G
|
High Voltage Transistors |
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