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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS GP NPN 30V LN SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
MMBT5088LT1 供应商
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Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/
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MMBT5088LT1 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：300 @ 100µA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：50MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：MMBT5088LT1OSCT
MMBT5088LT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT5088LT1
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Low Noise Transistors |
8 Pages页,212K | 查看 |
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MMBT5088LT1
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Low Noise Transistors |
6 Pages页,212K | 查看 |
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MMBT5088LT1
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Low Noise Transistors(NPN Silicon) |
4 Pages页,212K | 查看 |
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MMBT5088LT1G
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Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:30V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):300V; Power Dissipation, Pd:0.225W; DC Current Gain Min (hfe):300; Package/Case:SOT-323 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,193K | 查看 |