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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.02015-$0.03565
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS GP SS PNP LN 50V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.02015-$0.03565
MMBT5087LT1G 供应商
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SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
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SOT-23
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902
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SOT23
23+ -
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合肥
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ONSEMI
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Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/
22+ -
15000
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上海市
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原装，假一罚十
MMBT5087LT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：250 @ 100µA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBT5087LT1GOSMMBT5087LT1GOS-NDMMBT5087LT1GOSTR
MMBT5087LT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT5087LT1G
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TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-50mA; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Termination Type:SMD; Transistor Type: |
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