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MMBT4403-GS08
Transistors Bipolar (BJT)更新日期：2024-04-01 00:04:00
MMBT4403-GS08
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) PNP General Purpose
MMBT4403-GS08 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：0.6 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：100
- 配置：Single
- 最大工作频率：200 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 封装：Reel
- 集电极连续电流：0.6 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：625 mW
- 工厂包装数量：15000
MMBT4403-GS08 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT4403-GS08
|
5页,88K | 查看 |
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