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MMBT4124LT1

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MMBT4124LT1

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 200mA 30V NPN

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MMBT4124LT1 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：120
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：300 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：0.2 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：225 mW
  • 工厂包装数量：3000

MMBT4124LT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMBT4124LT1

General Purpose Transistor NPN

 8页,60K 查看
MMBT4124LT1G

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:25V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):120V; Power Dissipation, Pd:0.225W; DC Current Gain Min (hfe):120; Package/Case:SOT-323 ;RoHS Compliant: Yes

5页,80K 查看

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