- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01782-$0.03417
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANSISTOR NPN 25V 200MA SOT23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
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MMBT4124 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 2mA,1V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT4124FSMMBT4124FS-NDMMBT4124FSTR
MMBT4124 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MMBT4124LT1
|
General Purpose Transistor NPN |
8页,60K | 查看 |
MMBT4124LT1G
|
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:25V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):120V; Power Dissipation, Pd:0.225W; DC Current Gain Min (hfe):120; Package/Case:SOT-323 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,80K | 查看 |

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MMBT4124LT1