您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

MMBT3906

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01476-$0.02831

更新日期：2025-02-12 14:02:51

MMBT3906

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

产品简介：TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.01476-$0.02831

MMBT3906 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价
更多供应商

MMBT3906 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT3906FSTR

MMBT3906 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMBT3906 SOT-23

TRANSISTOR(PNP)

 2页,1.49M 查看
MMBT3906DW

Dated：23/03/2013 Rev：01 TOP DYNAMIC MMBT3906DW PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 40 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current -I C 200 mA Total Power Dissipation P tot 200 mW Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 55 to +150 ℃ 1 2 3 6 54 TR2 TR1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 4. Emitter 5. Base 6. Collector SOT-363 Plastic Package

 4页,126K 查看
MMBT3906E

WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors

 3页,83K 查看
MMBT3906-GS08

Electronic Component

5页,92K 查看
MMBT3906-HAF

Dated : 21/12/2009 Rev:01 TOP DYNAMIC ENTERPRISES LTD. ?? MMBT3906-HAF PNP Silicon General Purpose Transistor for switching and amplifier applications. As complementary types the NPN transistors MMBT3904 is recommended. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 40 V Emitter Base Voltage -V EBO 6 V Collector Current -I C 200 mA Power Dissipation P tot 200 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C SOT-23 Plastic Package

 3页,326K 查看
MMBT3906LP-7B

TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3

 7页,404K 查看
MMBT3906LT1

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

 5 Pages页,98K 查看
MMBT3906LT1

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

 6 Pages页,98K 查看
MMBT3906LT1G

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

 6 Pages页,98K 查看
MMBT3906LT1G

? Semiconductor Components Industries, LLC, 2011 January, 2011 ? Rev. 9 1 Publication Order Number: MMBT3906LT1/D MMBT3906LT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features ? These Devices are Pb ?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector ?Emitter Voltage V CEO ?40 Vdc Collector ?Base Voltage V CBO ?40 Vdc Emitter ?Base Voltage V EBO ?5.0 Vdc Collector Current ? Continuous I C ?200 mAdc Collector Current ? Peak (Note 3) I CM ?800 mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR ?5 Board (Note 1) @ T A = 25°C Derate above 25°C P D 225 1.8 mW mW/°C Thermal Resistance, Junction ?to ?Ambient R JA 556 °C/W Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) @ T A = 25°C Derate above 25°C P D 300 2.4 mW mW/°C Thermal Resistance, Junction ?to ?Ambient R JA 417 °C/W Junction and Storage Temperature T J , T stg ?55 to +150 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

 7页,117K 查看

MMBT3906 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9