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- 封装：SC-75，SOT-416
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS GP NPN 40V SOT416
- 封装：SC-75，SOT-416
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
MMBT3904TT1 供应商
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一级代理原装
MMBT3904TT1 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
- 功率 - 最大：200mW
- 频率 - 转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：SC-75，SOT-416
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：MMBT3904TT1OSCT
MMBT3904TT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT3904TT1
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General Purpose Transistors |
8页,60K | 查看 |
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MMBT3904TT1G
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TRANSISTOR, NPN, SC-75; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Current Ic Continuous a Max:50mA; Current Ic hFE:300mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type: |
7页,103K | 查看 |