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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS GP NPN 60V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
MMBT2484LT1 供应商
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SOT-23-3
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SOT-23
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
MMBT2484LT1 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 100µA，1mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：250 @ 1mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：MMBT2484LT1OSCT
MMBT2484LT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT2484LT1
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Low Noise Transistor |
6 Pages页,151K | 查看 |
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MMBT2484LT1
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Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
8 Pages页,151K | 查看 |
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MMBT2484LT1
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Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
4 Pages页,151K | 查看 |
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MMBT2484LT1G
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Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):250V; Power Dissipation, Pd:0.3W; DC Current Gain Min (hfe):250; Package/Case:SOT-23 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,192K | 查看 |