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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS SS GP NPN 30V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
MMBT2222LT1 供应商
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Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
22+ -
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原装，假一罚十
MMBT2222LT1 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA，10V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：MMBT2222LT1OSCT
MMBT2222LT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT2222LT1
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General Purpose Transistors |
8 Pages页,254K | 查看 |
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MMBT2222LT1
|
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
5 Pages页,254K | 查看 |
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MMBT2222LT1
|
General Purpose Transistors |
8 Pages页,254K | 查看 |
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MMBT2222LT1G
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General Purpose Transistors |
8 Pages页,254K | 查看 |