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  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.01583-$0.03035

更新日期:2025-01-08 11:01:05

产品简介:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23

  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.01583-$0.03035

MMBT2222A 供应商

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MMBT2222A 中文资料属性参数

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 频率 - 转换:300MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMBT2222AFSTR

MMBT2222A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MMBT2222A SOT-23

TRANSISTOR(NPN)

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MMBT2222A,215

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:150mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Switching

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