- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01583-$0.03035
更新日期:2025-01-08 11:01:05
产品简介:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01583-$0.03035
MMBT2222A 供应商
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MMBT2222A
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MMBT2222A 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT2222AFSTR
MMBT2222A 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MMBT2222A SOT-23
|
TRANSISTOR(NPN) |
2页,1.19M | 查看 |
MMBT2222A,215
|
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:150mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Switching |
7页,128K | 查看 |
MMBT2222AE
|
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors |
4页,83K | 查看 |
MMBT2222A-GS08
|
5页,89K | 查看 | |
MMBT2222ALT1
|
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
5 Pages页,209K | 查看 |
MMBT2222ALT1
|
General Purpose Transistors |
8 Pages页,209K | 查看 |
MMBT2222ALT1G
|
General Purpose Transistors |
8 Pages页,126K | 查看 |
MMBT2222ALT3
|
General Purpose Transistors |
8 Pages页,126K | 查看 |
MMBT2222ALT3G
|
General Purpose Transistors |
8 Pages页,126K | 查看 |
MMBT2222AT-7-F
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TRANS NPN 40V 0.6A SOT523 |
6页,346K | 查看 |

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MMBT2222A SOT-23