- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.48119-$1.27
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANS PWR PNP 1A 375V TO220AB
- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.48119-$1.27
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MJE5731AG 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):375V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大):1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 300mA,10V
- 功率 - 最大:40W
- 频率 - 转换:10MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:MJE5731AGOS
MJE5731AG 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MJE5731AG
|
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:375V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:SOT-78B; Application Code:PHVS; Av Current Ic:1A; Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic @ Vce Sat:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:1mA; Device Marking:MJE5731A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:10MHz; Gain Bandwidth ft Typ:10MHz; Hfe Min:10; Junction... |
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MJE5731AG