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MJE3439

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MJE3439

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 0.3A 350V 15W NPN

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MJE3439 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：30
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：15 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-225-3
  • 封装：Bulk
  • 集电极连续电流：0.3 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：15 W
  • 工厂包装数量：500

MJE3439 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MJE3439

POWER TRANSISTOR NPN SILICON

 4 Pages页,101K 查看
MJE3439

0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS

 4 Pages页,101K 查看
MJE3439G

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency Typ ft:15MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain Max (hfe):15 ;RoHS Compliant: Yes

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