搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
MJD32BT4 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ST/ELNAF
-
SOT252
1819+ -
500
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
MJD32BT4 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管极性：NPN/PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：3 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：25
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-252
- 封装：Reel
- 功率耗散：15000 mW
- 工厂包装数量：2500
MJD32BT4 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R