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更新日期：2024-04-01
产品简介：Transistors Bipolar (BJT)
MJD30CTF 供应商
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- 说明
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-
FAIRCHI/ELNAF
-
TO-252
1816+ -
5985
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
MJD30CTF 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 0.2 A at 4 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：3 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：DPAK
- 封装：Reel
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：1560 mW
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- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
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