- 封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANS DARL NPN 2A 100V STR IPAK
- 封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
MJD112-001 供应商
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MJD112-001 中文资料属性参数
- 标准包装:75
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大):20µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 2A,3V
- 功率 - 最大:1.75W
- 频率 - 转换:25MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
- 其它名称:MJD112-001OS
MJD112-001 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MJD112-001
|
Complementary Darlington Power Transistors |
8 Pages页,148K | 查看 |

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MJD112-001