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MDD810-12N2
二极管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MDD810-12N2
二极管阵列产品简介：MDD 810 - 12 N2
MDD810-12N2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
-
苏州
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
-
上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
艾赛斯
-
全新原装
23+ -
999
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上海市
-
-
-
现货
-
IXYS
-
标准封装
21+ -
5000
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上海市
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
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IXYS
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EA
21+ -
1200
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上海市
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厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块，二极管，整流
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IXYS/艾赛斯
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TRAY
22+ -
660
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上海市
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可提供产品实图拍摄 全新原包
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艾赛斯IXYS
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Tray
21+ -
1698
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上海市
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只做全新原装，原厂渠道现货
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IXYS/艾赛斯
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MODULE
23+ -
3226
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宣城
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全新原装现货原盒原标实拍欢迎询价
MDD810-12N2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：-
- 包装：盒
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 二极管配置：1 对串联
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：807A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.24 V @ 2000 A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：16.5 μs
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50 mA @ 1200 V
- 工作温度 - 结：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：-