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更新日期:2024-04-01

MCH6646-TL-E

MOSFET 晶体管

MCH6646-TL-E 供应商

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MCH6646-TL-E 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:20 ns
  • 典型接通延迟时间:7.5 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:1.78 nC V @ 4
  • 典型输入电容值@Vds:115 pF V @ 10
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.6mm
  • 封装类型:MCPH 6
  • 尺寸:2 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目:6
  • 最大功率耗散:0.8 W
  • 最大栅源电压:±10 V
  • 最大漏源电压:20 V
  • 最大漏源电阻值:330 m
  • 最大连续漏极电流:2 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:2
  • 类别:通用
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:
  • 长度:2mm
  • 高度:0.85mm

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